4月26日，武漢市第二批科技成果轉化·中科院集成電路光谷專場活動在東湖高新區(qū)成功舉辦，中科院相關院所的14個集成電路成果項目簽約，其中包括與長江存儲合作的新型存儲器研發(fā)項目。

活動現場，來自中科院微電子研究所、計算機所、電子學所、深圳先進技術研究院等12家科研院所的30余位集成電路領域專家現場發(fā)布100余項技術成果，包括新型存儲器件及集成、人臉識別、精密加工、紅外探測等。

其中，三維新型存儲器、自主可控SSD控制器芯片設計等7個項目上臺路演，新型存儲器研發(fā)、非制冷紅外探測器晶圓級封裝技術研發(fā)、高硬度高熔點第三代半導體典型材料碳化硅晶圓超快激光多焦點隱切技術及裝備產業(yè)等14個項目現場簽約，簽約金額超過10億元。

據了解，武漢市科技成果轉化局與中科院武漢分院于3月8日簽訂《關于推動中科院科技成果在漢轉化合作協(xié)議》，深入推動中科院科技創(chuàng)新資源與武漢高質量發(fā)展的全面對接，此次集成電路專場正是落實協(xié)議的首場活動。

此次簽約金額最大的項目是由中科院院士劉明團隊所主導的新型存儲器研發(fā)項目，簽約金額為2400萬元。資料顯示，劉明院士從事存儲研究多年，今年1月其領導的“新型存儲器件及集成研究集體”獲得了2018年度中國科學院杰出科技成就獎。

據介紹，這次劉明院士團隊帶來的三維新型阻變存儲器項目，可在更小半導體器件尺寸條件下，探索多層堆疊的高密度存儲，把信息“堆”起來存。“如果說傳統(tǒng)存儲是大型室外停車場，那么3D存儲相當于多高層停車城，把車疊起來停，可停車量級大幅躍升”。劉明院士團隊成員現場解釋時打比方。

值得一提的是，該項目的簽約方分別為中科院微電子研究所和長江存儲科技有限公司。

眾所周知，長江存儲是我國三大存儲器基地之一，專注于3D NAND 閃存的設計與制造。2017年，長江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎上，通過自主研發(fā)和國際合作相結合的方式，成功設計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。

2018年8月，長江存儲宣布推出其突破性技術——XtackingTM，并成功將Xtacking TM技術應用于其第二代3D NAND產品的開發(fā)。目前，長江存儲已量產32層3D NAND，按照規(guī)劃將于今年量產64層3D NAND。

長江日報等媒體報道稱，劉明院士的三維新型阻變存儲器項目，將助力國家存儲器基地對128層256Gb存儲器的研發(fā)。