在新能源、光伏和儲能等關鍵領域中,碳化硅(SiC)憑借其高硬度、高耐磨的特性,成為了高性能材料的佼佼者。特別是在半導體領域,碳化硅以其卓越的性能和潛力,引領著功率器件的技術進步,成為推動行業技術革新的重要力量。而在這個風起云涌的行業中,上海瀾芯半導體有限公司(簡稱:瀾芯)以其獨到的眼光和深厚的實力,正揚帆起航,引領碳化硅功率器件的發展潮流。

瀾芯半導體的創始人馬彪,是一位在功率半導體器件開發領域有著豐富經驗的資深從業者。他憑借對行業的深刻理解和敏銳的市場洞察力,于2022年創立了上海瀾芯半導體有限公司,專注于碳化硅功率器件的開發與設計。在馬彪的帶領下,瀾芯的技術團隊不斷突破創新,開發出多款領先的碳化硅器件,廣泛應用于新能源汽車、光伏、逆變、儲能等領域,為行業的發展注入了強勁的動力。

自2023年初正式運營以來,瀾芯半導體便展現出了驚人的發展速度。短短8個月的時間,公司便完成了首顆1200V80mΩ SiC MOSFET從設計到驗證的全流程,并實現了小批量銷售。這一成就不僅彰顯了瀾芯在碳化硅功率器件領域的強大實力,也為其后續的發展奠定了堅實的基礎。

與此同時,瀾芯還在持續推進產品的研發和創新。同平臺的1200V40mΩ MOSFET已開發完成,正在進行產品認證。而第二代平臺產品——1200V12mΩ SiC MOSFET,更是突破了國產芯片12mΩ的極限,其比導通電阻低于3.2mΩ.cm²,為汽車主驅功率模塊提供了有力支持。第二代平臺的1200V30mΩ和1200V60mΩ產品將完成設計,屆時瀾芯將擁有更加完善的產品線,滿足不同客戶的需求。

然而,瀾芯并沒有止步于此。他們已經啟動了第三代平臺的研發工作,目標是將比導通電阻降至2.7mΩ.cm²,達到全球平面型碳化硅的頂尖水平。這一目標的實現,將進一步提升瀾芯在碳化硅功率器件領域的競爭力,推動行業的持續進步。預計2024年下半年,第三代首顆產品將問世,屆時瀾芯將再次引領碳化硅功率器件的發展潮流。

作為一家專注于碳化硅功率器件開發與設計的企業,瀾芯半導體在行業中樹立了良好的口碑。他們憑借深厚的技術實力和前瞻的產品布局,贏得了眾多客戶的信賴和支持。同時,瀾芯還積極與上下游企業建立緊密的合作關系,構建了一個完善的供應鏈體系。這一體系不僅保證了產品的質量和供應的穩定性,也為瀾芯的持續發展提供了有力的支持。

展望未來,隨著國產碳化硅產品以及其他功率器件的逐步推廣,上海瀾芯半導體有限公司將發揮其在碳化硅功率器件領域的領先優勢,為中國新能源行業的發展注入新的活力。他們將繼續致力于碳化硅功率器件的研發和創新,不斷提升產品的性能和質量,推動行業的持續進步。同時,他們也將積極拓展國內外市場,與更多的合作伙伴攜手共進,共同開創美好的未來。

在碳化硅引領功率器件革新的時代浪潮中,上海瀾芯半導體有限公司正揚帆起航,駛向更加廣闊的未來。他們將以卓越的技術實力和前瞻的產品布局,引領碳化硅功率器件的發展潮流,為中國新能源行業的發展貢獻自己的力量。