韓國存儲器廠商三星宣布，4日正式推出Flashbolt的HBM（高寬帶）DRAM。這是第3代HBM技術(shù)，未來將用于超級計(jì)算機(jī)、GPU和各種AI應(yīng)用所需的高性能計(jì)算。

三星先前發(fā)表上一代HBM Aquabolt DRAM后一年內(nèi)，于Nvidia 2019年GTC（GPU技術(shù)大會）首次宣布Flashbolt HBM DRAM，這項(xiàng)儲存技術(shù)預(yù)計(jì)用于AMD和Nvidia即將推出的高性能GPU。

三星第3代HBM技術(shù)，HBM2E Flashbolt DRAM可達(dá)到每針腳最高3.2Gbp/s的最大數(shù)據(jù)傳輸速度，較前一代最高2.4Gbps的最大數(shù)據(jù)傳輸速度提升33%。三星解釋，就是1秒內(nèi)能傳輸82部高畫質(zhì)影片。

另外，透過緩沖芯片頂部垂直堆棧的8層10奈米級（1y）16Gb DRAM，可達(dá)16GB最大容量。該HBM2E封裝是以40,000多個(gè)直通硅通孔（TSV）微型凸塊的精確排列互連，每個(gè)16Gb芯片均包含5,600多個(gè)此類微小孔。

三星指出，在超頻環(huán)境下，HBM2E Flashbolt DRAM可提供每針高達(dá)4.2Gb/s數(shù)據(jù)傳輸速率，和538GB/s的DRAM頻寬。三星表示，這些DRAM芯片將于2020上半年投產(chǎn)。目前除三星外，韓國另一家存儲器廠商SK Hynix也正在積極開發(fā)HBM2E的DRAM產(chǎn)品，預(yù)計(jì)也是2020年投產(chǎn)，使HBM2E DRAM產(chǎn)品市場競爭加劇。