臺積電先進(jìn)制程的部分，目前5納米準(zhǔn)備積極進(jìn)入量產(chǎn)，3納米也將在2022年迎來投產(chǎn)的關(guān)鍵時刻，而更先進(jìn)的2納米制程也傳出取得重大進(jìn)展。市場估計，臺積電2納米預(yù)計在2023~2024年量產(chǎn)的情況下，預(yù)計將能進(jìn)一步鞏固全球晶圓代工龍頭的地位。

根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報》的報導(dǎo)，臺積電在考慮成本及良率的因素下，3納米制程延用鰭式場效電晶體（FinFET）技術(shù)，并取得全球的領(lǐng)導(dǎo)地位之后，更先進(jìn)的2納米制程預(yù)計將切入環(huán)繞閘極（GAA）技術(shù)，正式進(jìn)入另一個全新的制程技術(shù)領(lǐng)域，而且預(yù)料在接下來的年度技術(shù)論壇中，臺積電將會公布這項成果。

不過，臺積電對此并未做任何評論。

報導(dǎo)指出，雖然臺積電自2019年公布，將以數(shù)百人的研發(fā)團(tuán)隊正式投入2納米的技術(shù)研發(fā)以來，至今沒有公布2納米制程節(jié)點將會選擇沿用FinFET技術(shù)，或者是改用GAA技術(shù)。不過，根據(jù)相關(guān)供應(yīng)鏈表示，因為FinFET技術(shù)將自3納米以下會面臨技術(shù)瓶頸，因此臺積電才會在2納米選擇采用GAA的技術(shù)。

另外，因為競爭對手三星已經(jīng)宣布自3納米的制程節(jié)點開始，就采用GAA的技術(shù)，臺積電的時程顯然落后三星，不過市場人士指出，就之前臺積電也較三星晚采用極紫外光刻設(shè)備，但在制程良率上仍領(lǐng)先三星的情況下，臺積電采取穩(wěn)扎穩(wěn)打的務(wù)實性做法，于2納米才采用GAA技術(shù)而落三星一個世代，預(yù)計還是能持續(xù)維持其優(yōu)勢的地位。

報導(dǎo)進(jìn)一步指出，這次臺積電能在2納米制程節(jié)點上有所突破，歸功于臺積電挽留了3年前即要退休的臺積電最資深副總經(jīng)理羅唯仁。他帶領(lǐng)的團(tuán)隊為制程技術(shù)研發(fā)進(jìn)行了突破，才有了當(dāng)前的成果。為此，羅唯仁還為團(tuán)隊舉行了慶功宴，以感謝團(tuán)隊的辛勞。

而根據(jù)日前臺積電的公告，預(yù)計2021年動工，將于美國亞利桑那州設(shè)置的12寸廠將以5納米制程為主，并將于2024年投產(chǎn)，月產(chǎn)能達(dá)到2萬片的產(chǎn)能。而這時間點對照目前臺積電先進(jìn)制程的發(fā)展計劃，屆時臺積電在中國臺灣地區(qū)已經(jīng)進(jìn)入2納米投產(chǎn)階段，使得整體美國廠的完工，屆時將對臺積電在臺灣的先進(jìn)制程訂單不會有所影響。

此外，日前也外傳，競爭對手三星也宣布將放棄4納米的制程，直接投入3納米制程與臺積電面對面競爭。市場人士也表示，若臺積電一旦真在2023年到2024年間量產(chǎn)GAA技術(shù)的2納米制程，則三星想在3納米制程彎道超車的狀況，將會難上加難。