近日，珠海特區(qū)報(bào)援引芯動(dòng)科技消息稱，芯動(dòng)科技已完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際FinFETN+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試，所有IP全自主國(guó)產(chǎn)，功能一次測(cè)試通過，為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體生態(tài)鏈再立新功。

中芯國(guó)際是國(guó)內(nèi)芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，“N＋1”工藝是其在第一代先進(jìn)工藝14nm量產(chǎn)之后的第二代先進(jìn)工藝的代號(hào)。中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博此前公布的信息顯示，N＋1工藝和現(xiàn)有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

在2020年半年報(bào)中，中芯國(guó)際曾表示，第二代先進(jìn)工藝（N＋1）進(jìn)展順利，已進(jìn)入客戶產(chǎn)品驗(yàn)證階段。今年9月，該公司回應(yīng)稱，第二代FinFETN＋1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，有望于2020年底小批量試產(chǎn)。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)