分析公司TrendForce表示，中國(guó)內(nèi)存制造商 YMTC 在 12 月 15 日正式列入美國(guó)商務(wù)部實(shí)體名單后，現(xiàn)在面臨到 2024 年退出 3D NAND 閃存產(chǎn)品市場(chǎng)的風(fēng)險(xiǎn)。

從現(xiàn)在開(kāi)始，美國(guó)商務(wù)部將審查和批準(zhǔn)與從美國(guó)向長(zhǎng)江存儲(chǔ)出口、再出口和銷售設(shè)備、技術(shù)和其他相關(guān)商品有關(guān)的單項(xiàng)交易。由于從美國(guó)合作伙伴那里獲得設(shè)備零件和技術(shù)支持變得非常困難和長(zhǎng)期，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將受到嚴(yán)重制約，無(wú)法提高其比特產(chǎn)量。因此，其在3D NAND Flash產(chǎn)品市場(chǎng)的立足點(diǎn)預(yù)計(jì)會(huì)隨著時(shí)間的推移而減弱。

TrendForce：長(zhǎng)江存儲(chǔ)面臨2024 年退出 3D NAND 閃存產(chǎn)品市場(chǎng)的風(fēng)險(xiǎn)

沒(méi)有關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)商的支持，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在其最新的3D NAND閃存技術(shù)Xtacking 3.0的開(kāi)發(fā)中面臨著巨大的技術(shù)障礙。尤其是128L和232L制程良品率的提升，對(duì)于中國(guó)內(nèi)存廠商來(lái)說(shuō)，將是極具挑戰(zhàn)性的。考慮到中美貿(mào)易爭(zhēng)端的最新升級(jí)，TrendForce進(jìn)一步下調(diào)了對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)明年供應(yīng)位增長(zhǎng)率和NAND閃存總供應(yīng)位增長(zhǎng)率的預(yù)測(cè)。最初預(yù)測(cè)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2023 年的供應(yīng)量將同比增長(zhǎng) 60%。然而，出現(xiàn)了大幅下調(diào)，使其增長(zhǎng)率僅為 18%。現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)將同比下降 7%，這與之前的預(yù)測(cè)完全相反。

國(guó)際客戶逐漸將訂單重新分配給其他 NAND Flash 供應(yīng)商

除了實(shí)體清單對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)量增長(zhǎng)的影響外，中國(guó)以外的 NAND 閃存買家現(xiàn)在對(duì)采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)持很大保留態(tài)度。一家美國(guó)智能手機(jī)品牌暫緩向長(zhǎng)江存儲(chǔ)采購(gòu)移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案。與此同時(shí)，之前打算對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的客戶端 SSD 進(jìn)行認(rèn)證的 PC OEM 廠商暫時(shí)停止了客戶抽樣和采用過(guò)程。根據(jù)最新調(diào)查，長(zhǎng)江存儲(chǔ)未來(lái)很可能僅限于在中國(guó)大陸運(yùn)營(yíng)。此外，由于這家中國(guó)內(nèi)存制造商在向更高層 3D NAND 技術(shù)推進(jìn)的努力受到嚴(yán)重阻礙，它最終將失去通過(guò)產(chǎn)能擴(kuò)張活動(dòng)獲得更多市場(chǎng)份額的機(jī)會(huì)。

在被列入實(shí)體清單后，如果美國(guó)政府選擇擴(kuò)大其出口管制規(guī)則的范圍，長(zhǎng)江存儲(chǔ)可能會(huì)進(jìn)一步被阻止收購(gòu)關(guān)鍵設(shè)備。例如，荷蘭和日本的設(shè)備供應(yīng)商可能會(huì)加入美國(guó)的制裁制度，并停止向中國(guó)客戶銷售 DUV 浸沒(méi)式光刻系統(tǒng)。

到 2024 年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手將過(guò)渡到 2XX-L 代的主要 3D NAND 工藝。他們甚至可能開(kāi)始制造層數(shù)接近 300 閾值的 NAND 閃存產(chǎn)品。反之，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將因技術(shù)停滯而逐漸失去成本競(jìng)爭(zhēng)力，市場(chǎng)份額將繼續(xù)被侵蝕。為了避免這種命運(yùn)，它必須想辦法退市。TrendForce 也不排除 YMTC 的其他替代路徑。例如，公司可以回到制造2D NAND閃存，或者可以轉(zhuǎn)型為采用成熟工藝技術(shù)制造的邏輯IC供應(yīng)商。

2H23 NAND Flash市場(chǎng)供需動(dòng)態(tài)有望改善，有助穩(wěn)定整體NAND Flash ASP

由于長(zhǎng)江存儲(chǔ)將2023年供應(yīng)位元同比增幅大幅修正為負(fù)7%，NAND Flash的同比增幅大幅下修同年 NAND 閃存總供應(yīng)位也已降低至 20.2%。相應(yīng)地，整個(gè)2023年整個(gè)NAND閃存市場(chǎng)的充足率也從原來(lái)的3.6%修正為2.3%。

除了供應(yīng)位增長(zhǎng)放緩?fù)猓@家分析公司還樂(lè)觀地認(rèn)為，由于需求的價(jià)格彈性，企業(yè) SSD 的采購(gòu)量將會(huì)增加。

此外，也不排除2H23整體NAND閃存供應(yīng)開(kāi)始吃緊的可能。電子品牌 (OEM) 可能會(huì)在 2023 年第二季度提前開(kāi)始增加 NAND 閃存采購(gòu)。反過(guò)來(lái)，需求上升可能導(dǎo)致 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 2 季度企穩(wěn)，并最終從 23 年第 3 季度開(kāi)始整體 NAND 閃存平均售價(jià)反彈。