三星半導體二期項目在西安投資將超140億美元 預計明年Q1量產
三星半導體存儲芯片項目于2012年成功入駐西安高新區,主要生產 V-NAND 閃存芯片,一期項目計劃投資金額為70億美元.
三星半導體存儲芯片項目于2012年成功入駐西安高新區,主要生產 V-NAND 閃存芯片,一期項目計劃投資金額為70億美元.
COMPUTEX展將于5月28日-6月1日在臺北世貿一館舉辦,佰維將攜旗下全系列產品:工控SSD、嵌入式芯片、存儲卡、內存以及客制化存儲服務等參展。
預計長江存儲到年底擴張達至少60K/m的投片量,與其他競爭者動輒200K/m以上的產能并不算大,但預估NAND Flash市場價格仍會受到一定沖擊,進而導致跌價趨勢持續。