美光在臺擴廠 加碼903億元建兩座晶圓廠
全球第三大DRAM廠美商美光（Micron）加碼投資中國臺灣地區(qū)，要在現(xiàn)有中科廠區(qū)旁興建兩座晶圓廠，總投資額達新臺幣4,000億元（約合人民幣903億元），以生產(chǎn)下世代最新制程生產(chǎn)DRAM。時
存儲器
美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級制程DRAM
根據(jù)國外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產(chǎn)的DRAM將會是16GB的D
日韓貿(mào)易戰(zhàn)推現(xiàn)貨存儲器反彈，合約市場仍未撼動
6月東芝停電事件，加上7月開始日韓貿(mào)易戰(zhàn)延燒，推動了已跌到虧損流血的NAND Flash現(xiàn)貨價率先反彈，結束了2年多來的空頭走勢，此波存儲器價格由NAND Flash先起漲，接下來日韓貿(mào)易戰(zhàn)加入
美光新加坡Fab 10A閃存工廠完成擴建
存儲器大廠美光科技（Micron）14日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建！美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區(qū)將視市場需求調(diào)整資本支出及產(chǎn)能規(guī)劃，并應用先進3D NAND制程技術，進一步推
SK海力士公布新產(chǎn)品規(guī)劃：2030年推800+層堆疊NAND Flash，屆時SSD可達200TB
目前，兩大韓系NAND Flash廠商──三星及SK海力士已經(jīng)公布了新NAND Flash產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中，三星宣布推出136層堆疊的第6代V-NAND Flash，SK海力士則是宣布成功開發(fā)出128層堆疊的4D NAND F