大突破!科美存儲(chǔ)發(fā)布首款100%國(guó)產(chǎn)DDR5 RDIMM內(nèi)存條
該產(chǎn)品從芯片、封裝到適配全鏈路實(shí)現(xiàn)自主可控,并通過(guò)?防硫化設(shè)計(jì)、30μ鍍金工藝?等技術(shù)創(chuàng)新,填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)服務(wù)器內(nèi)存模塊在極端環(huán)境適配能力的空白。
該產(chǎn)品從芯片、封裝到適配全鏈路實(shí)現(xiàn)自主可控,并通過(guò)?防硫化設(shè)計(jì)、30μ鍍金工藝?等技術(shù)創(chuàng)新,填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)服務(wù)器內(nèi)存模塊在極端環(huán)境適配能力的空白。
三星16Gb DDR5 DRAM,采用新型高介電常數(shù)材料來(lái)增加單元容量,并采用獨(dú)特的設(shè)計(jì)技術(shù)來(lái)改善電路板的關(guān)鍵電路特性。它提供了業(yè)界最高的管芯密度,并將每片晶圓的生產(chǎn)率提高了 20%。
英特爾與AMD兩大CPU廠商積極推動(dòng)DDR5在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的滲透,DDR5熱度不斷提升。