國電南瑞擬與聯(lián)研院合資設(shè)立功率半導(dǎo)體公司，主攻IGBT
合作有利于公司降低IGBT等功率器件技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)品批量化生產(chǎn)的風(fēng)險，保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導(dǎo)體芯片及模塊研制和產(chǎn)業(yè)化進程。
IGBT
實現(xiàn)30萬只IGBT模塊生產(chǎn) 合肥中恒微半導(dǎo)體首期投產(chǎn)
據(jù)合肥高新區(qū)報道，近日，合肥中恒微半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱 中恒微半導(dǎo)體 ）首期投產(chǎn)儀式在高新區(qū)明珠產(chǎn)業(yè)園舉行。圖片來源：合肥高新股份該項目規(guī)劃分為兩期建設(shè)，一期產(chǎn)能
總投資5.3億元的再生晶圓和IGBT落戶江蘇東海
1、「DRAMeXchange-全球半導(dǎo)體觀察」包含的內(nèi)容和信息是根據(jù)公開資料分析和演釋，該公開資料，屬可靠之來源搜集，但這些分析和信息并未經(jīng)獨立核實。本網(wǎng)站有權(quán)但無此義務(wù)，改善或更
淺析IGBT產(chǎn)業(yè)的進入壁壘
近年來，隨著行業(yè)景氣度向好和政策的推動，中國IGBT產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)快速成長，多家廠商擴建或新建產(chǎn)線，同時亦有不少新進入者搶奪市場。據(jù)集邦咨詢分析，目前市場新入者主要有三類，一
國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈主要企業(yè)
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，具有高頻率、高電壓、大電流、易于