方正微最新一代SiC產(chǎn)品燃爆慕尼黑電子展
第二代車(chē)規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,性能達(dá)到國(guó)際頭部最新一代水平,在第一代的高可靠基礎(chǔ)上,進(jìn)一步提升性能。
第二代車(chē)規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,性能達(dá)到國(guó)際頭部最新一代水平,在第一代的高可靠基礎(chǔ)上,進(jìn)一步提升性能。
雙方致力于推動(dòng)SiC功率模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,共同加速第三代半導(dǎo)體技術(shù)在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用,促進(jìn)了產(chǎn)業(yè)的綠色升級(jí)。
多家企業(yè),圍繞SiC產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)主題展開(kāi)演講,從SiC襯底到外延、切磨拋等環(huán)節(jié)的最新技術(shù)報(bào)告,并且通過(guò)上下游產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展,加速碳化硅進(jìn)入8英寸時(shí)代,以最終實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量提升和成本降低。
SiC(碳化硅)在高溫、高頻和高壓環(huán)境下的性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Si(硅),作為關(guān)鍵器件的材料而受到關(guān)注,這對(duì)BEV(電動(dòng)汽車(chē))系統(tǒng)的功率損耗減少,小型化和輕量化做出貢獻(xiàn)。
美浦森產(chǎn)品包括高中低壓功率場(chǎng)效應(yīng)管全系列產(chǎn)品(Trench MOSFET/SGT MOSFET/ Super Junction MOSFET/ Planar MOSFET) SiC 二極管、SiC MOSFET等系列。