SNEC 2025|光儲(chǔ)遇見SiC,方正微賦予能源鏈接新價(jià)值!
深圳方正微電子(FMIC)首次以“SiC功率專家”的品牌形象成功亮相光儲(chǔ)行業(yè),向客戶展示了第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品在智慧光儲(chǔ)中的應(yīng)用。
深圳方正微電子(FMIC)首次以“SiC功率專家”的品牌形象成功亮相光儲(chǔ)行業(yè),向客戶展示了第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品在智慧光儲(chǔ)中的應(yīng)用。
第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,性能達(dá)到國際頭部最新一代水平,在第一代的高可靠基礎(chǔ)上,進(jìn)一步提升性能。
雙方致力于推動(dòng)SiC功率模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新與市場競爭力,共同加速第三代半導(dǎo)體技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用,促進(jìn)了產(chǎn)業(yè)的綠色升級。
多家企業(yè),圍繞SiC產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)主題展開演講,從SiC襯底到外延、切磨拋等環(huán)節(jié)的最新技術(shù)報(bào)告,并且通過上下游產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展,加速碳化硅進(jìn)入8英寸時(shí)代,以最終實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量提升和成本降低。
SiC(碳化硅)在高溫、高頻和高壓環(huán)境下的性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Si(硅),作為關(guān)鍵器件的材料而受到關(guān)注,這對BEV(電動(dòng)汽車)系統(tǒng)的功率損耗減少,小型化和輕量化做出貢獻(xiàn)。