為貫徹落實《粵港澳大灣區發展規劃綱要》和國家關于集成電路產業發展的決策部署，加快廣東省半導體及集成電路產業發展，2月13日，廣東省人民政府印發《廣東省加快半導體及集成電路產業發展的若干意見》（以下簡稱《意見》）。

《意見》指出，要抓住建設粵港澳大灣區國際科技創新中心的有利機遇，積極發展一批半導體及集成電路產業重大項目，補齊產業鏈短板，提升研發創新能力，擴大開放合作，把珠三角地區建設成為具有國際影響力的半導體及集成電路產業集聚區。

《意見》不僅針對芯片設計、芯片制造、封測、設備及材料等上游產業鏈領域提出了具體的規劃，同時也從研發能力、人才培養、產業合作、保障措施等方面提出了發展意見。

其中關于產業鏈規劃，《意見》主要包括以下具體內容：

優化發展設計業，提升產業優勢

（一）芯片設計重點發展方向。重點突破儲存芯片、處理器等高端通用芯片設計，大力支持射頻芯片、傳感器芯片、基帶芯片、交換芯片、光通信芯片、顯示驅動芯片、RISC-V（基于精簡指令集原則的開源指令集架構）芯片、物聯網智能硬件核心芯片、車規級AI（人工智能）芯片等專用芯片的開發設計。大力發展第三代半導體芯片，前瞻布局毫米波芯片、太赫茲芯片等。

（二）打造芯片設計高地。引導設計企業上規模上水平，提升設計產業集聚度，大力發展自主品牌產品，在珠三角地區建設具有全球競爭力的芯片設計和軟件開發集聚區。到2025年，形成一批銷售收入超10億元和3家以上銷售收入超100億元的設計企業，EDA（電子設計自動化）軟件實現國產化（部分領域達到國際先進水平），高端通用芯片設計能力明顯提升，芯片設計水平整體進入國際先進行列。

重點發展特色工藝制造，補齊產業短板

（一）制造業重點發展方向。重點推進模擬及數模混合芯片生產制造，滿足未來射頻芯片、功率半導體和電源管理芯片、顯示驅動芯片等產品市場需求的快速增長。優先發展特色工藝制程芯片制造，支持先進制程芯片制造，縮小與國際先進水平的差距。探索發展FDSOI等新技術路徑。大力發展MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（大功率絕緣柵雙極型晶體管）、高端傳感器、MEMS（微機電系統）、大功率LED器件、半導體激光器等產品。支持氮化鎵、碳化硅、砷化鎵、磷化銦等化合物半導體器件和模塊的研發制造。

（二）加快布局芯片制造項目。推動現有6英寸及以上晶圓生產線提升技術水平、對接市場應用。大力支持技術先進的IDM（集設計、制造、封裝、測試及銷售一體化的組織模式）企業和晶圓代工企業在珠三角布局研發中心、生產中心和運營中心，建設晶圓生產線。到2025年，建成較大規模特色工藝制程生產線，積極布局建設先進工藝制程生產線。

積極發展封測、設備及材料，完善產業鏈條

（一）封測重點發展方向。大力發展晶圓級封裝、系統級封裝、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級扇出型封裝、三維封裝、真空封裝等先進封裝技術。加快IGBT模塊等功率器件封裝技術的研發和產業化。大力引進先進封裝測試生產線和技術研發中心，支持現有封測企業開展兼并重組，緊貼市場需求加快封裝測試工藝技術升級和產能提升。

（二）設備重點發展方向。積極推進缺陷檢測設備、激光加工設備等整機設備，以及真空零部件、高精密陶瓷零部件、射頻電源、投影鏡頭等設備關鍵零部件的研發生產。大力引進國內外沉積設備、刻蝕設備、等離子清洗機、薄膜制備設備等領域的龍頭企業。支持高等學校和科研機構開展設備和零部件技術研發，引導我省有基礎的企業積極布局設備及零部件制造項目。

（三）材料及關鍵電子元器件重點發展方向。大力發展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鎵、氮化鋁、金剛石等第三代半導體材料，積極發展電子級多晶硅及硅片制造，加快氟聚酰亞胺、光刻膠、高純度化學試劑、電子氣體、碳基、高密度封裝基板等材料研發生產。大力支持納米級陶瓷粉體、微波陶瓷粉體、功能性金屬粉體、賤金屬漿料等元器件關鍵材料的研發及產業化。推動電子元器件企業與整機廠聯合開展核心技術攻關，提升我省高端片式電容器、電感器、電阻器等元器件產品市場占有率。

一圖讀懂廣東省加快半導體及集成電路產業發展的若干意見：