進(jìn)入下半年，全國(guó)5G基站的建設(shè)進(jìn)一步加速。工信部部長(zhǎng)苗圩曾在全國(guó)兩會(huì)期間聲稱,現(xiàn)在每周大概增加1萬多個(gè)5G基站，預(yù)計(jì)到年底中國(guó)的5G基站將超過70萬站。作為引領(lǐng)經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的5G新基建，這一龐大的建設(shè)工程將為5G的網(wǎng)絡(luò)覆蓋和能力提升提供極大助力。

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5G的增強(qiáng)移動(dòng)帶寬、高可靠低時(shí)延、海量物聯(lián)三大運(yùn)用場(chǎng)景將催生物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、AR/VR、超高清視頻等領(lǐng)域的發(fā)展。海量數(shù)據(jù)的增加將對(duì)計(jì)算機(jī)計(jì)算能力帶來挑戰(zhàn)，對(duì)存儲(chǔ)提出更大的需求。

作為致力于國(guó)產(chǎn)化替代的民族企業(yè)，宏旺半導(dǎo)體ICMAX的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品不僅廣泛運(yùn)用在企業(yè)、家庭和個(gè)人的光貓、路由器等網(wǎng)通設(shè)備，還加速進(jìn)入5G核心網(wǎng)、骨干網(wǎng)等基站建設(shè)內(nèi)部，致力于為5G建設(shè)提供完全國(guó)產(chǎn)化的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。

隨著3D NAND閃存芯片生產(chǎn)工藝的成熟，以及產(chǎn)能的不斷提高，閃存芯片的成本也在不斷下降。據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年全球內(nèi)置存儲(chǔ)市場(chǎng)同比下降3.0%，但中國(guó)全閃存陣列將繼續(xù)保持高增長(zhǎng)。經(jīng)IDC預(yù)測(cè)，2020年中國(guó)全閃存存儲(chǔ)市場(chǎng)增長(zhǎng)速率將達(dá)到40%。這也顯示了閃存芯片在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的巨大潛力。

在這一背景下，宏旺半導(dǎo)體推出了迎合當(dāng)前市場(chǎng)需求的eMMC、eMCP、SLC NAND FLASH等閃存芯片，經(jīng)過全方位的測(cè)試與驗(yàn)證，在容量及性能方面已得到行業(yè)內(nèi)的認(rèn)可。

eMMC

eMMC采用統(tǒng)一的MMC標(biāo)準(zhǔn)接口，將NAND Flash及其控制芯片封裝在一顆BGA芯片內(nèi)，極大地滿足了用戶高性能、高可靠性的存儲(chǔ)需求。宏旺半導(dǎo)體推出的eMMC具有高效、高速、高兼容、高帶寬、持續(xù)穩(wěn)定等特性。

推出的11.5×13.0×1.0mm的尺寸規(guī)格，能適用于不同規(guī)格的產(chǎn)品；讀寫速度快，eMMC5.1最大讀取速度是136MB/s 、寫入速度是80MB/s；容量范圍廣泛，最高可達(dá)128GB；能滿足各種嚴(yán)苛環(huán)境下的存儲(chǔ)需求，消費(fèi)級(jí)工作溫度為 -25°C~70°C ，工業(yè)級(jí)的為-40°C~85°C。

eMCP

采用原裝NAND Flash晶片及先進(jìn)的BGA封裝工藝，把eMMC和LPDDR進(jìn)行精密地整合封裝，從而實(shí)現(xiàn)了小體積內(nèi)的一體化，大數(shù)據(jù)后的高效化、智能化。具有獨(dú)創(chuàng)的ECC、CRC、斷電保護(hù)、固件備份、均衡磨損等特性，可有效幫助客戶提升使用效率，降低使用成本，提升存儲(chǔ)體驗(yàn)，提高產(chǎn)品的持續(xù)性與穩(wěn)定性。同時(shí)，與MTK、展訊、高通等各大主流平臺(tái)高度兼容，不用擔(dān)心產(chǎn)品適配性問題。

SLC NAND FLASH

SLC NAND FLASH是一種高性能、高性價(jià)比的存儲(chǔ)解決方案，彌補(bǔ)了SPI NOR FLASH容量低、價(jià)格高、速度低的缺陷，可提供更高的可靠性、更健壯的糾錯(cuò)性能、更長(zhǎng)期的產(chǎn)品生命周期。為確保產(chǎn)品的穩(wěn)定性，宏旺半導(dǎo)體的Parallel SLC NAND采用工業(yè)級(jí)SLC，經(jīng)過了嚴(yán)格的封裝、測(cè)試和認(rèn)證，以滿足高階應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)高速度、高質(zhì)量、高可靠性的需求。

由于疫情的影響，智能手機(jī)進(jìn)入存量博弈時(shí)代，但軟件運(yùn)用不斷豐富推升消費(fèi)者對(duì)手機(jī)內(nèi)存的需求，大內(nèi)存成為各大終端廠商新型智能手機(jī)的賣點(diǎn)。根據(jù)DRAMExchange數(shù)據(jù)，2019年全球智能手機(jī)平均DRAM容量約為4.4GB，2020年有望提升至5GB，同比增長(zhǎng)13.6%。

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5G移動(dòng)通訊技術(shù)落地運(yùn)用將掀起新一輪換機(jī)熱潮，智能手機(jī)有望重回正增長(zhǎng)，DRAM更是需求進(jìn)一步擴(kuò)大。根據(jù)賽迪顧問數(shù)據(jù)，2019年至2021年我國(guó)mobile DRAM市場(chǎng)規(guī)模復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到27.99%。

在這一片藍(lán)海市場(chǎng)中，宏旺半導(dǎo)體推出的DDR、LPDDR廣運(yùn)用于手機(jī)、平板機(jī)頂盒、智慧音箱、安防攝像機(jī)、可穿戴設(shè)備中，并一直保持著穩(wěn)定的增長(zhǎng)。兩個(gè)產(chǎn)品的區(qū)別主要體現(xiàn)在通道寬度上，LPDDR 沒有固定的總線寬度，目前最常見的為32位總線，總線位數(shù)更低，同時(shí)采用更低的電壓，能夠大大降低LPDDR的待機(jī)功耗。

LPDDR

LPDDR全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR的一種，以低功耗著稱。宏旺半導(dǎo)體目前已推出 LPDDR3/4/4×，并且已量產(chǎn)的LPDDR4X容量最高達(dá)64Gb，封裝尺寸為VFBGA 200Ball 10.0×14.5mm 等，工作溫度-25°C~85°C ，工作電壓1.35V/1.5V，工作頻率1866Mhz等，具備高性能的多任務(wù)處理功能，能迅速流暢地應(yīng)對(duì)龐大、復(fù)雜的工作環(huán)境。

DDR

DDR作為應(yīng)用最廣泛的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，被應(yīng)用于路由器、光貓等設(shè)備中，DDR允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM 的兩倍。以宏旺半導(dǎo)體推出的高品質(zhì)DDR4為例，容量為256Mb*16/512Mb*16/1Gb*16，封裝尺寸為BGA 96Ball  8*14mm/7.5*13.5mm/9*14mm，工作溫度0°C~85°C，并具有2666 Mbps 的工作頻率，能夠以出色的速度傳輸數(shù)據(jù)，可以快速、輕松地處理大量工作負(fù)載。

此外，宏旺半導(dǎo)體的存儲(chǔ)產(chǎn)品還包括MCP/NAND FLASH/SSD/內(nèi)存條/TF卡等，每一款產(chǎn)品均經(jīng)過嚴(yán)苛的高低溫老化磨損、擦寫壽命、全套可靠性等品質(zhì)測(cè)試。憑借高兼容性、高集成、大容量等特點(diǎn)，目前已在全球范圍為創(chuàng)維、中興、TCL等多家客戶服務(wù)。

在國(guó)外技術(shù)牽制不斷升級(jí)的當(dāng)下，填補(bǔ)技術(shù)空白，構(gòu)建產(chǎn)業(yè)鏈條，降低海外依賴的行動(dòng)刻不容緩。未來，宏旺半導(dǎo)體將全面服務(wù)于方興未艾的5G、IoT等，致力于為更多智慧家庭、智能辦公、物聯(lián)網(wǎng)等不同的場(chǎng)景和行業(yè)提供高性能、高穩(wěn)定性的存儲(chǔ)產(chǎn)品和解決方案。