因?yàn)橐咔榈年P(guān)系，首次改成線上方式舉行的2020臺(tái)積電技術(shù)論壇在25日正式舉行，臺(tái)積電總裁魏哲家在談到臺(tái)積電的世界級(jí)制造技術(shù)時(shí)表示，進(jìn)入量產(chǎn)后的N7制程支援了客戶許多創(chuàng)新，包括移動(dòng)設(shè)備、高效能裝置、人工智能、5G產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)連結(jié)裝置、資料中心與智慧車等都使用了臺(tái)積電的N7制程產(chǎn)品，也使得N7制程近期也達(dá)到了出貨10億顆晶粒的里程碑。而就在N7量產(chǎn)1年后，N7+強(qiáng)化版也正式量產(chǎn)，為全球第一個(gè)進(jìn)入商業(yè)量產(chǎn)的EUV半導(dǎo)體制程，而這兩者也成為臺(tái)積電具備高度量產(chǎn)能力與競爭力的產(chǎn)品。

至于，在5納米制程(N5)的發(fā)展上，魏哲家則是進(jìn)一步稱，因?yàn)镹5是目前全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制程，與前一代的N7制程相較，預(yù)算速度提升15%，功耗降低30%，邏輯密度更大幅提升80%。而在N5廣泛采用EUV技術(shù)的情況下，也鞏固了臺(tái)積電先進(jìn)制程的領(lǐng)導(dǎo)地位。而且，N5制程的強(qiáng)化版N5P也將在2021年正式進(jìn)入量產(chǎn)。

魏哲家還表示，為進(jìn)一步延展臺(tái)積電先進(jìn)制程的領(lǐng)導(dǎo)地位，也在N5的技術(shù)上發(fā)展出4納米的N4制程，N4除了在運(yùn)算速度、功耗及邏輯密都皆有提升之外，還與N5有100%的IP相容性，因此能沿用N5的設(shè)計(jì)以加速產(chǎn)品的上市，而N4計(jì)2021年第4季正式試產(chǎn)。而在談到更新的3納米(N3)制程時(shí)，預(yù)計(jì)N3運(yùn)算速度較N5提升15%、功耗降低30%、邏輯密度增加70%。而N3的試產(chǎn)時(shí)間落在2021年試產(chǎn)，2022年正式量產(chǎn)。另外，目前也正在跟客戶合作，定義未來其他更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的相關(guān)技術(shù)。

另外，魏哲家強(qiáng)調(diào)，在臺(tái)積電發(fā)展先進(jìn)制程后發(fā)現(xiàn)，當(dāng)前2D半導(dǎo)體微縮已經(jīng)不符合未來的異質(zhì)整合需求，這使得臺(tái)積電所發(fā)展的3D半導(dǎo)體微縮成為可以滿足未來包括系統(tǒng)效能、縮小面積、以及整合不同功能的道路。而臺(tái)積電也將CoWoS、InFO-R、Chip on Wafer、Wafer on Wafer等先進(jìn)3D封裝技術(shù)平臺(tái)匯整，未來將統(tǒng)一命名為“TSMC 3DFabric”，未來此平臺(tái)將持續(xù)提供介面連結(jié)解決方案，以達(dá)成客戶在整合邏輯芯片、高頻寬存儲(chǔ)器以及特殊制程芯片的需求。